第三代半导体电压测试要点，双脉冲测试的电压项很多，其中主要包括驱动电压和DS电压。

       上管驱动电压需要关注的是共模电压的影响，选择一款共模抑制比比较高的探头，会有很好的效果，一般共模抑制比越高，测到的电压越小，所以，如果同时测量两组上管驱动电压，值较小的探头测的效果更好。其次电压探头的CM电压参数也是要考虑的，不然可能会损坏探头，造成炸机。共模抑制比这个参数直接会影响，驱动电压测不测的准的问题，所以选择一款可靠性较高的产品，对后期生产有着重要的指导作用。

        DS和下管驱动就没有这么复杂了，量程符合基本没啥问题。还有，还要关注耐高温的情况，有部分工程师反应，探头的红黑线容易烧坏，做好相应的保护。毕竟预算不是说有就有，有的公司，因为几千块，需要申请好久才能下来。

       除此之外，还要关注延时特性，探头的延时值影响我们计算开关损耗，当然驱动电压不涉及这一块，主要是DS电压的测试，需要匹配上电流波形，差个一小段时间，直接导致计算错误，因为一项归零，意味着这一款时间的损耗直接没有了。