一、概述

       知用推出射频隔离高压差分探头OP6030推动第三代半导体发展，将Vgs真实呈现。OP6030是一款超高共模抑制比的隔离电压探头。传统的差分探头的共模抑制比在高频段下降很快，导致准确测量高共模干扰电压下的小电压信号波形（比如测量半桥电路的上管的驱动电压）极其困难。OP6030釆用了射频隔离技术，从而在整个工作带宽（50MHz）内具有超高的共模抑制比，可以帮助我们的客户用很低的成本完成这类挑战性的测量。

二、第三代半导体材料行业背景

       以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体材料的应用，是各国争相发展的重点领域。第三代宽禁带半导体材料独有的高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特性，不仅能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等需求，还可以降低50%以上的能量损失，可使装备体积减小近75%，在半导体材料领域具有里程碑意义。

       随着宽禁带技术的进步，材料工艺与器件工艺的逐步成熟，在一些高端应用领域，正在逐步取代第二代半导体材料，建立了衬底、外延、器件以及应用等完整的产业链。除了美国、欧洲、日本等高科技企业在技术上的强力推进，国内也有数十家科技企业投入大量资金布局第三代半导体业务。在大规模商用上，较高的技术门槛和成本依然是第三代宽禁带半导体发展的瓶颈。

       当前整个电源产业正发生着深刻的变革，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体技术已经在众多行业中得到了广泛的应用，也给电源的开发测试工作带来了众多的挑战。

三、研发过程中的测试难点

（1）传统测试工具，测试结果会让研发人员困扰，无法判断真实的信号波形是因测试问题导致，还是器件或系统本身的问题。

（2）GaN 应用于PD快充，OBC，上管Vgs无法测试，不测试会导致烧板子，炸管，产品有安全隐患。

（3）SiC多用于新能源逆变器、轨道交通、电驱动等大功率器件的应用，半桥及全桥电路上管无法准确测量，不测试会导致烧板子，炸管，产品有安全隐患，会导致牺牲SiC的优异性能来保证产品安全要求。

四、解决方案

      射频隔离探头OP6030为上管Vgs测量设置了新的标准，设计者终于能看到以前隐藏的信号特征。推荐搭配SDS6000 Pro系列示波器、射频隔离探头，拥有*的CMRR特性和射频隔离技术。

五、方案优势

（1）应对SiC高频挑战: 提供高达50MHz带宽测试能力，相比较传统的测试系统性能提升5倍。

（2）应对更高精度挑战： 高精度测试系统，可以准确测试Vgs、Vds 的开关波形上升沿及下降沿细节，比8Bit系统分辨率提升16倍。

（3）应对高共模电压挑战： 高达120dB的共模抑制比性能比传统高压差分探头提升了1000倍。

（4）应对干扰挑战： 射频隔离探头将信号和测试的电气隔离，降低信号端噪声对测试结果的影响。

（5）应对信号连接挑战： 采用SSMB接口及专用方形接口方式，降低线缆长度引起的震荡，并降低环境噪声引入。